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CRTD210P04L2-G是硅P沟说念增强型VDMOSFET，通过高密度沟槽技能获取，该技能缩小了导通损耗，升迁了开关性能并增强了雪崩能量。该器件适用于负载开关和PWM利用。

特征：

快速切换

低导通电阻（Rdson≤21 mΩ） 澳门六合彩官网

看完古力娜扎表演的《煽风点火》，来看看古力娜扎、何炅、吴泽林、杨淇源的新年“搭”吉PK吧！娜扎带着她的专属姓氏老吉“古娜吉吉吉吉”登场，其他嘉宾也在王老吉姓氏罐陈列架上，找到了属于自己的姓氏长吉罐。嘉宾们用姓氏长吉罐进行“搭”吉PK，给观众送上吉运连连的新年祝福～现场氛围火热喜庆，大家猜猜谁先搭成长吉？

低栅极电荷

低反向传输电容

100% 单脉冲雪崩能量测试

无卤素

利用：

适配器和充电器的电源开关电路

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