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澳门六合彩论坛玄机图 万代 AONS21303C 30V P沟谈MOSFET
2024-10-24
描写: 最新的先进沟槽本领 -30V · 低导通电阻 · 高电流能力 · RoHS 和无卤素合规 特征: VDS ID (at VGS=-10V) -180A
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